УМЗЧ Иштвана Урбана на четырех парах HEXFET

УМЗЧ Иштвана Урбана (рис. 1) построен на четырех парах полевых транзисторов HEXFET. Классическая схемотехника:

• с токовым зеркалом (Т2, Т3) в качестве нагрузки первого дифкаскада (Т4, Т5);
• с активными генераторами тока (Т13, Т8);
• с каскодным усилителем напряжения (Т6, Т7).

Усилитель дополнен оригинальным каскадом на ОУ IC1, который для звуковых частот является повторителем напряжения (100%-ная местная ООС через С4).

Поэтому он не входит в петлю общей ООС УМЗЧ, но, в то же время, через резистор R15 замыкает петлю ООС по постоянному току и зорко следит за нулем на выходе УМЗЧ.

На ІС2, терморезисторе R30 и транзисторах Т1, Т14 выполнена схема автоматического приглушения (MUTING), срабатывающая при перегреве выходных транзисторов.

На нагрузке 4 Ом усилитель развивает постоянную синусоидальную мощность 225 Вт и пиковую 300 Вт при коэффициенте гармоник не более 0,1% во всем звуковом диапазоне частот.

Рис. 1. Схема УМЗЧ мощность 225 Вт Иштвана Урбана на HEXFET.

Источник: Сухов Н. Е. - Лучшие конструкции УНЧ и сабвуферов своими руками.

Журнал Радиохобби.