УНЧ на транзисторах КТ819, КТ818 с многопетлевой ООС (100 Вт)


Основные технические характеристики:

  • Номинальный диапазон частот, Гц, ............................... 20...20000
  • Номинальное сопротивление нагрузки, Ом ................................... 4
  • Номинальная (максимальная) вых. мощность, Вт, при сопротивлении нагрузки, Ом:
  • 4 .................................................................................. 70(100)
  • 8 ........................................................................................40(60)
  • Диапазон частот, Гц, ..................................................... 5...100000
  • Скорость нарастания выходного напряжения, В/мкс, не менее ... 15
  • Коэффициент гармоник, %, не более, на частоте, Гц:
  • 20...5000 .................................................................................. 0,001
  • 10000 ................................................................................ 0,003
  • 20000 .................................................................................0,01
  • Коэффициент гармоник, %, не более, ...................................... 0,01
  • Номинальное входное напряжение, В .......................................... 1
  • Входное сопротивление, кОм, не менее, ...................................... 47.

Принципиальная схема

Первый каскад собран на операционном усилителе (ОУ) DA1, остальные - на транзисторах (второй и третий - соответственно на VT1, VT3, четвертый - на VT8, VT11 и VT10, VT12, пятый - на VT13, VT14).

В четвертом (предоконечном) каскаде использованы транзисторы разной структуры, включенные по схеме составного эмиттерного повторителя, что позволило ввести в него местную ООС и таким образом повысить линейность и снизить выходное    сопротивление.

Схема УНЧ на транзисторах  КТ819, КТ818 с многопетлевой ООС (100 Вт)

Рис. 1. Схема УНЧ на транзисторах  КТ819, КТ818 с многопетлевой ООС (100 Вт).

Для снижения переходных искажений на высоких частотах выходной каскад работает в режиме АВ, а сопротивление резисторов цепей смещения (R30, R33) ограничены величиной 15 Ом.

Все транзисторные каскады усилителя охвачены цепью местной ООС глубиной не менее 50 дБ. Напряжение ООС снимается с выхода усилителя и через делитель R10R12 подается в цепь эмиттера транзистора VT1.

Частотная коррекция и устойчивость по цепи ООС обеспечиваются конденсатором С4. Введение местной ООС позволило даже при самых неблагоприятных сочетаниях усилительных свойств транзисторов ограничить коэффициент гармоник этой части усилителя величиной 0,2%. Устройство защиты состоит из триггера на транзисторах VT6, VT7 и порогового элемента на транзисторе VT9.

Как только ток через любой из выходных транзисторов превысит 8...9 А, транзистор VT9 открывается, и его коллекторный ток открывает транзисторы триггера VT6, VT7. Рисунок печатной платы усилителя приведен в [34].

Литература:  Николаев А.П., Малкина М.В. - 500 схем для радиолюбителей. 1998, 143 с.


5 6859 Транзисторные УНЧ
УНЧ УМЗЧ усилитель транзисторный УМЗЧ
Написать комментарий:

cashback