AMS1117-xx - низковольтные интегральные стабилизаторы напряжения, справочник


Микросхемы серий AMS1117, LD1117A, IL1117A (аналог К1254ЕНхх, завод «Транзистор», Минск) представляют собой линейные стабилизаторы напряжения положительной полярности с низким напряжением насыщения, производятся в корпусах SOT-223 и D-Раск.

Обзор микросхем

Выпускаются на фиксированные напряжения:

  • 1,2,
  • 1,5,
  • 1,8,
  • 2,5,
  • 2,85,
  • 3,3,
  • 5,0 вольт
  • и 1,25 В регулируемый.

Выходной ток микросхем до 1 А, максимальная рассеиваемая мощность 0,8 Вт для микросхем в корпусе SOT-223 и 1,5 Вт выполненных в корпусе D-Pack.

В микросхемы встроена система защиты по температуре и рассеиваемой мощности. Встроенная система защиты от перегрева снижает выходное напряжение и ток, не позволяя повысится температуре кристал-ла выше 150°C.

Система температурной защиты не заменяет теплоотвод. В его качестве может быть полоска медной фольги печатной платы, небольшая медная, латунная пластинка, теплопроводящая керамика.

Микросхема крепится к теплоотводу пайкой теплопроводящего фланца или приклеивается корпусом и фланцем с помощью теплопроводного клея.

Применение микросхем этих серий обеспечивает повышенную стабильность выходного напряжения (до 1%), низкие коэффициенты нестабильности по току и напряжению (менее 10мВ), более высокий КПД, что позволяет снизить входные напряжения питания.

Микросхемы серии 1117 широко используются в компьютерной технике: в составе схем системных плат, видео, звуковых картах, ТВ-тюнерах, разнообразных контроллерах.

Принципиальная схема

На рис. 1 приводится схема блока питания — стабилизатора напряжения положительной полярности на фиксированное выходное напряжение 3,3 В. Входное напряжение стабилизатора может быть в пределах 4,6..12 В.

Схема блока питания и стабилизатора напряжения положительной полярности на 3,3 В

Рис. 1. Схема блока питания и стабилизатора напряжения положительной полярности на 3,3 В.

Этот стабилизатор идеально подходит для питания различных мобильных карманных устройств с автономным питанием 3 В. На нём можно построить как миниатюрный блок питания, так и использовать как подключаемый стабилизатор к сетевым адаптерам — традиционным трансформаторным и современным импульсным, например, используемым для зарядки сотовых телефонов.

Этот стабилизатор также можно подключать к бортовой сети автомобиля +12 В через LC помехоподавляющий фильтр. Диод VD2 предназначен для того, чтобы защитить стабилизатор от неправильного подключения.

Дроссель L1 и конденсаторы С1-СЗ предназначены для подавления сетевых помех.

Умощнение схемы

Если вам требуется более мощный стабилизатор, то его схему нужно немного усложнить, добавив в неё один транзистор VT1 и резистор R1, рис. 2.

Транзистор серии КТ818 в пластмассовом корпусе может рассеивать до 1 Вт мощности, в металлическом корпусе до 2,5...3 Вт. Если требуется большая мощность, то транзистор следует установить на теплоотвод. Лучшим решением будет то, если и транзистор, и микросхема будут установлены на общий теплоотвод, максимально близко один корпус к другому.

Схема усиленного стабилизатора напряжения на микросхеме AMS1117-3,3 и транзисторе КТ818Б

Рис. 2. Схема усиленного стабилизатора напряжения на микросхеме AMS1117-3,3 и транзисторе КТ818Б.

Поскольку, при такой схеме включения защита микросхемы от перегрузки по току не будет работать, чтобы ощутимо не усложнять схему устройства, питать стабилизатор можно через самовосстанавливающийся предохранитель.

Если использован транзистор в пластмассовом корпусе, например, КГ818А, то максимальный ток нагрузки может быть до 8А, если в металлическом, например, КТ818БМ, то 12 А.

Технические характеристики

Если вы хотите построить собственный вариант стабилизатора на микросхеме серии 1117, можете воспользоваться данными из табл. 1.

Таблица 1.

Наименование параметра Режим измерения He менее Тип Не более
Выходное напряжение, В
IL1117А —Adj (Регулируемый) Ін = 10 мА... 1 А, Ubx -UH = 1,5...13,75 В 1.238 1,250 1,262
IL1117A-1.8 Ін = 0...1 А, Ubx = 3,3. .12 В 1.773 1,800 1,827
IL1117A-2.5 Ін = 0...1 А, Ubx = 4,0... 12 В 2462 2,500 2,538
ІИ117А-2.85 Ін = 0...1 А, Ubx = 4,4...12 В 2.807 2,850 2,893
ІИ117А-З.3 Ін = 0...1 А, Ubx = 4,8. ..12 В 3.250 3,300 3,350
IL1117А—5.0 Ін = 0...1А, Ubx = 6,5 В...15 В 4.925 5,000 5,075
Выходное напряжение, В
IL1117A (Регулируемый) Tj = 0°C...+125°C. Ін = 10 МА...1 А, Ubx -Uh = 1,5...13,75 В 1,225 1,250 1,280
IL1117A-1.8 Ін = 0...1 А, Ubx = 3,3...12 В 1,764 1,800 1,836
IL1117А—2.5 Ін = 0...1 А, Ubx = 4,0...12 В 2,450 2,500 2,550
IL.1117А—2.85 Ін = 0...1 А, Ubx = 4,4...12 В 2,790 2,850 2,910
IL1117A-3.3 Ін = 0...1 А, Ubx = 4,8...12 В 3,240 3,300 3,360
IL1117A-5.0 Ін = 0...1 А,Ubx = 6,5...15 В 4,900 5,000 5,100
Коэффициент нестабильности по току
IL1117A—Adj (Регулируемый) Ін = 10 мА, Ubx-U0= 1.5 ...13,75 В   0,1 % 0,2 %
IL1117A -1.8 Ін = 0, Ubx = 3,3 ...12 В   2 мВ 7 мВ
IL1117A-2.5 Ін = 0, Ubx = 4,0...12 В   2 мВ 7 мВ
IL1117A-2.85 Ін = 0, Ubx = 4,4 ...12 В   2 мВ 7 мВ
IL1117A -3.3 Ін = 0, Ubx = 4,8 ...12 В   3 мВ 7 мВ
IL1117A -5.0 Ін = 0, Ubx = 6,5 ...15 В   4 мВ 10 мВ
Коэффициент нестабильности по напряжению
IL1117А-Adj (Регулируемый) Ін = 10 мА... 1 А, Ubx - Uh = 2 В   0.2 % 0.4 %
IL1117A-1.8 Ін = 0...1 А, Ubx = 3,8 В   3 мВ 10 мВ
IL1117A-2.5 Ін = 0...1 А, Ubx = 4,5 В   3 мВ 10 мВ
IL1117A-2.85 Ін = 0...1 А, Ubx = 4,85 В   3 мВ 10 мВ
IL1117A-3.3 Ін = 0...1 А, Ubx = 5,3 В   4 мВ 12 мВ
Ток потребления Ubx-Uh = 5B   5,2 мА 10мА
Ток по управляющему выводу Ін = ЮмА, Ubx - Uh = 1,4...10 В   50 мкА 120 мкА
Температурный дрейф Tj= 0°C... + 125°C   0.5 %  
IL1117A-5.0 Ін = 0...1 A, Ubx = 7,0 В   5 мВ 15 мВ
Напряжение насыщения, для всех типов, В
  Ін = 800 мА І н = 1 A   1,10 1,20 1,20 1,30
  Ін = 1 A (Tj = 0°C...+125°C)   1,20 1,48
Ограничение по выходному току, мА
I Ubx - Uh = 5 В | 1000 1250 1600
Входной ток для регулируемого варианта
  Ubx- Uh = 13.75 В |     5 мА

Цоколёвка микросхемы показана на рис. 1. Теплоотводящий фланец соединён с выходом микросхемы. Если необходимо увеличить выходное напряжение стабилизатора, например, на 0,3...0,7 В, то в разрыв цепи питания и общего вывода микросхемы можно установить соответствующий маломощный кремниевый диод, например, КД521А, анодом к микросхеме, зашунтированный оксидным конденсатором на 47 мкФ 3,3... 10 В.

При этом, нестабильность выходного напряжения микросхемы заметно возрастёт, но, всё же останется вполне допустимой для большинства применений.

Бутов А. Л. РК-06-08.

Литература: beacomponent.ru


1 69 Микросхемы
стабилизатор напряжения справочник
Написать комментарий:

cashback