Транзистор Дарлингтона или составной транзистор

Интегральный транзистор Дарлингтона обладает весьма привлекательными характеристиками: очень высоким усилением по току (порядка 1000), значительной допустимой рассеиваемой мощностью и малыми размерами. Некоторые типы содержат также защитный диод, включенный между эмиттером и коллектором (рис. 1). Это удобно для непосредственного управления индуктивной нагрузкой, например реле. Однако при проведении проверки транзистора с помощью тестера необходимо помнить о существовании диода.

 

Транзистор Дарлингтона или составной транзистор

 

Рис. 1 Структура транзистора Дарлингтона с защитным диодом

0 1953 Полупроводники
Написать комментарий:

cashback