High-End УМЗЧ на полевых транзисторах HEXFET Карела Бартона (350 Вт)


Карел Бартон построил свой High-End УМЗЧ на полевых транзисторах с гексагональной структурой (HEXFET фирмы International Rectifier).

Технические характеристики

На нагрузке 4 Ом усилитель развивает номинальную мощность 350 Вт при коэффициенте гармоник не более 0,05% в диапазоне частот 20 Гц — 20 кГц, неравномерности АЧХ не более 1 дБ в диапазоне от 2 Гц до 350 кГц, отношении сигнал/шум 110 дБ, коэффициенте демпфирования на частоте 1 кГц не менее 400, скорости нарастания выходного напряжения 400 В/мкс и максимальном импульсном выходном токе 150 А.

Принципиальная схема

Входные каскады выполнены на дискретных биполярных транзисторах с использованием симметричной дифференциально-каскодной схемотехники (Т1—Т12) с активными генераторами тока (Т14, Т16, Т18, Т19).

Принципиальная схема усилителя мощности на полевых транзисторах HEXFET Карела Бартона, 350 Вт

High-End УМЗЧ на полевых транзисторах HEXFET Карела Бартона (продолжение схемы)

Рис. 1. Принципиальная схема усилителя мощности на полевых транзисторах HEXFET Карела Бартона, 350 Вт.

Благодаря этому практически устранены проявления нелинейности, связанные с зависимостью коэффициента передачи и емкостей р-п-переходов от тока коллектора и напряжения коллектор-база.

Высокая эффективность термостабилизации режимов мощных полевых транзисторов достигнута благодаря применению в качестве датчика температуры полевого транзистора Т22. За «нулем» по постоянному току на выходе следит специальный каскад на ОУ 101.

Источник: Сухов Н. Е. - Лучшие конструкции УНЧ и сабвуферов своими руками. Журнал Радиохобби - http://radiohobby.ldc.net


0 5153 Транзисторные УНЧ
УНЧ УМЗЧ усилитель транзисторный УМЗЧ УНЧ на полевых транзисторах
Написать комментарий:

cashback